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半導体製造装置

SiPボンダ

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DB-800

SiP (System In Package) 組立に特化した300mmウエハ用 ダイボンダ

特長

  • 高生産性
    従来比20%UPを実現(UPH10,000以上)
  • 新ビジョンシステム
    高精度ビジョンシステム/薄ダイの反りに強いライティング
  • 新操作システム
    ユーザフレンドリーな新開発操作システム
DB-800
 

薄ダイボンディング技術

  • 超音波ピックアップ、多段ピックアップにより薄ダイピックアップが可能
  • レーザ測長による非接触ペースト高さ制御、メカニカルディスペンサ採用による高精度塗布を実現します
  • サブストレートヒータ/コレットヒータ搭載により多彩な熱圧着実装を可能とします
 

仕様

項  目 内  容
ボンディング速度 0.32s/die (マシンサイクルタイム)
ボンディング精度 X、Y:±15μm
θ:±0.5°(3σ)
適用ワーク寸法 リードフレーム 幅:25〜90mm/長さ100〜250mm
ウエハ 300mm、200mm(オプション)
ダイ 0.8×0.8mm〜25×25mm(オプション含む)
装置寸法(本体) (W)1,900×(D)1,430×(H)1,600[o]
質量 約1,600kg
 

DB-700

SiP組立可能な300mmウエハ対応 高速・高精度フレキシブルダイボンダ

特長

  • 世界最小クラスの300mmウエハ対応ダイボンダ
    (省スペース、軽量、低振動設計)
  • 新ボンディングヘッド機構により高UPHを実現
  • 装置連結により積層PKGの自動生産に対応
  • CEマーク対応装置の選択可
DB-700

ラインナップ

  • DB-700AD:高品質・高生産性対応
  • DB-700ADF:フィルム個片貼付機能搭載
  • DB-700ADL:フィルムラミネーション機能搭載
 

仕様

項  目 内  容
ボンディング速度 0.35s/die(マシンサイクルタイム)
ボンディング精度 X、Y:±25μm
θ:±0.5°(3σ)
適用ワーク寸法 リードフレーム 幅:25〜90mm/長さ100〜250mm
ウエハ 300mm、200mm(オプション)
ダイ 0.5×0.5mm〜25×25mm(オプション含む)
装置寸法 (W)1,960×(D)1,490×(H)1,630[mm](ローダマガジン含む)
質量 約1,570kg

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